【12264XEa142】VASP专题培训：半导体与缺陷DFT计算_49
课程目录：
10_5-2 Gnuplot软件演示.mp4 (212.91MB)
11_6-1 晶体学基本概念.mp4 (290.14MB)
12_6-2 Si模型构建与结构优化.mp4 (655.96MB)
13_6-3 P掺杂对Si结构的影响.mp4 (822.74MB)
14_6-4 Si(111)模型构建和结构优化.mp4 (598.82MB)
15_6-5 MoS2模型构建与结构优化.mp4 (400.22MB)
16_6-6 异质结构模型构建与结构优化.mp4 (531.84MB)
17_6-7 非晶模型构建.mp4 (366.58MB)
18_7-1 电荷密度.mp4 (564.23MB)
19_7-2 电子态密度.mp4 (580.54MB)
1_1 前言.mp4 (17.53MB)
20_7-3 晶体轨道哈密顿布居数.mp4 (497.26MB)
21_7-4 能带结构.mp4 (594.82MB)
22_7-5 投影电荷密度.mp4 (164.57MB)
23_7-6 杂化泛函.mp4 (72.86MB)
24_7-7 介电函数.mp4 (193.31MB)
25_7-8 功函数.mp4 (342.35MB)
26_8-1 缺陷形成能文献案例.mp4 (163.05MB)
27_8-2 缺陷形成能基本概念.mp4 (351.97MB)
28_8-3 Cu 空位形成能.mp4 (262.05MB)
29_8-4 Cu间隙位形成能.mp4 (216.96MB)
2_2-1 Hartree-Fock 理论.mp4 (163.36MB)
30_8-5 缺陷迁移基本概念和文献案例.mp4 (219.08MB)
31_8-6 Cu间隙位扩散路径与势垒.mp4 (522.53MB)
32_8-7 Cu空位扩散路径与势垒.mp4 (411.79MB)
33_8-8 缺陷电子结构文献案例.mp4 (81.87MB)
34_8-9 Cu空位、Cu间隙位态密度.mp4 (296.54MB)
35_8-10 Cu空位、Cu间隙位投影电荷密度.mp4 (456.35MB)
36_9-1 吸附与扩散性质文献案例.mp4 (108.89MB)
37_9-2 吸附与扩散性质基本概念.mp4 (124.75MB)
38_9-3 MoS2吸附F.mp4 (717.41MB)
39_9-4 F在MoS2表面扩散路径与能垒.mp4 (397.25MB)
3_2-2 密度泛函理论.mp4 (196.42MB)
40_9-5 Si掺杂MoS2吸附NH3.mp4 (421.31MB)
41_9-6 Si掺杂MoS2吸附CH4.mp4 (225.48MB)
42_9-7 Si掺杂MoS2吸附CH3F-CF4.mp4 (551.39MB)
43_9-8 CH4在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4 (391.29MB)
44_9-9 CH3在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4 (221.32MB)
45_9-10 CH2在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4 (141.58MB)
46_9-11 CH在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4 (132.92MB)
47_9-12 Si掺杂MoS2吸附C6H6.mp4 (510.75MB)
48_9-13 Linux系统环境变量配置.mp4 (63.31MB)
49_10 总结.mp4 (94.24MB)
4_2-3 计算方法.mp4 (192.68MB)
5_3-1 VASP运行流程.mp4 (225.38MB)
6_3-2 VASP输入输出文件.mp4 (845.13MB)
7_4-1 超算平台连接.mp4 (92.29MB)
8_4-2 Linux操作系统基础命令.mp4 (373.33MB)
9_5-1 VESTA软件演示.mp4 (304.78MB)
